Galaxy S25 Ultra: Bộ nhớ UFS 4.1 và tiềm năng cải tiến hiệu suất AI

Sawyer Galox vừa chia sẻ một tweet mà có thể thay đổi cảnh quan công nghệ di động trong thời gian tới. Theo thông tin từ anh, dường như samsung Galaxy S25 Ultra, một trong những dòng điện thoại hàng đầu của hãng, sẽ được trang bị bộ nhớ Universal Flash Storage (UFS) 4.1. Điều này đánh dấu sự tiến bộ đáng chú ý trong công nghệ lưu trữ của samsung, mặc dù UFS 5.0, một bản cập nhật lớn hơn, không dự kiến sẽ có sẵn cho đến năm 2027.

Bản cập nhật nhỏ UFS 4.1 được hy vọng sẽ mang lại một loạt các cải tiến, đặc biệt là về tốc độ đọc và ghi, so với phiên bản trước đó là UFS 4.0. Điều này có ý nghĩa đặc biệt khi trí tuệ nhân tạo (AI) đang ngày càng trở nên quan trọng và phổ biến trên các thiết bị di động. Với khả năng tích hợp AI ngày càng mạnh mẽ trên điện thoại, việc có bộ nhớ flash nhanh hơn và dung lượng RAM lớn hơn là không thể thiếu.

Ngoài ra, có tin đồn cho biết Galaxy S25 Ultra có thể được trang bị RAM lên đến 16GB trên các phiên bản có dung lượng bộ nhớ trong lên đến 512GB và 1TB. Điều này sẽ mang lại hiệu suất và trải nghiệm người dùng vượt trội, đặc biệt là trong các ứng dụng và tác vụ đòi hỏi nhiều tài nguyên như AI và các ứng dụng đa nhiệm.

Xem thêm: samsung Galaxy S25: Giới Thiệu Tính Năng "Pin AI" và Chiến Lược Mới Trong Công Nghệ Pin

Về mặt kỹ thuật, UFS 4.1 được kỳ vọng sẽ cung cấp tốc độ đọc và ghi nhanh hơn so với UFS 3.1 và mang lại hiệu suất tối ưu cho các tính năng AI, cũng như tiết kiệm năng lượng và khả năng đa nhiệm cải thiện. Điều này sẽ làm cho trải nghiệm người dùng trở nên mượt mà hơn và tiết kiệm pin hơn.

Mặc dù chỉ là một tin đồn từ tweet của Sawyer Galox, thông tin này đã tạo ra một làn sóng kỳ vọng và mong đợi về sự cải thiện trong hiệu suất của dòng điện thoại hàng đầu của Samsung trong tương lai gần.

Galaxy S25 Ultra: Bộ nhớ UFS 4.1 và tiềm năng cải tiến hiệu suất AI